Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
24 to 60mA
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Maximum Gate Source Voltage
+25 V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
2.9 x 1.3 x 0.94mm
Aukštis
0.94mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Plotis
1.3mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 7,75
€ 0,155 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 9,38
€ 0,188 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
50

€ 7,75
€ 0,155 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 9,38
€ 0,188 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
50

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
50 - 95 | € 0,155 | € 0,78 |
100 - 495 | € 0,135 | € 0,68 |
500 - 995 | € 0,118 | € 0,59 |
1000+ | € 0,108 | € 0,54 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
24 to 60mA
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Maximum Gate Source Voltage
+25 V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
2.9 x 1.3 x 0.94mm
Aukštis
0.94mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Plotis
1.3mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.