Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Idss Drain-Source Cut-off Current
1.5 to 20mA
Maximum Drain Gate Voltage
25V dc
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
300 Ω
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Source Gate On-Capacitance
11pF
Matmenys
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.04mm
Aukštis
1.01mm
Plotis
1.4mm
Produkto aprašymas
P-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,111
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,134
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
100
€ 0,111
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,134
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
100
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
100 - 240 | € 0,111 | € 1,11 |
250 - 490 | € 0,105 | € 1,05 |
500 - 990 | € 0,10 | € 1,00 |
1000+ | € 0,082 | € 0,82 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Idss Drain-Source Cut-off Current
1.5 to 20mA
Maximum Drain Gate Voltage
25V dc
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
300 Ω
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Source Gate On-Capacitance
11pF
Matmenys
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.04mm
Aukštis
1.01mm
Plotis
1.4mm
Produkto aprašymas
P-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.