Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Idss Drain-Source Cut-off Current
1.5 to 20mA
Maximum Drain Gate Voltage
25V dc
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
300 Ω
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Source Gate On-Capacitance
11pF
Matmenys
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.04mm
Aukštis
1.01mm
Plotis
1.4mm
Produkto aprašymas
P-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,281
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 0,34
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
€ 0,281
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 0,34
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
10 - 90 | € 0,281 | € 2,81 |
100 - 240 | € 0,138 | € 1,38 |
250 - 490 | € 0,13 | € 1,30 |
500 - 990 | € 0,124 | € 1,24 |
1000+ | € 0,101 | € 1,01 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Idss Drain-Source Cut-off Current
1.5 to 20mA
Maximum Drain Gate Voltage
25V dc
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
300 Ω
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Source Gate On-Capacitance
11pF
Matmenys
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.04mm
Aukštis
1.01mm
Plotis
1.4mm
Produkto aprašymas
P-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.