Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Idss Drain-Source Cut-off Current
-2 to -25mA
Maximum Drain Source Voltage
15 V
Maximum Gate Source Voltage
+30 V
Maximum Drain Gate Voltage
-30V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
250 Ω
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.92mm
Aukštis
0.93mm
Plotis
1.3mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
P-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,411
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,497
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
50
€ 0,411
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,497
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
50
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
50 - 50 | € 0,411 | € 20,53 |
100 - 950 | € 0,243 | € 12,13 |
1000 - 2950 | € 0,237 | € 11,86 |
3000+ | € 0,231 | € 11,55 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Idss Drain-Source Cut-off Current
-2 to -25mA
Maximum Drain Source Voltage
15 V
Maximum Gate Source Voltage
+30 V
Maximum Drain Gate Voltage
-30V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
250 Ω
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.92mm
Aukštis
0.93mm
Plotis
1.3mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
P-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.