Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
20mA
Maximum Drain Source Voltage
15 V
Maximum Gate Source Voltage
-35 V
Maximum Drain Gate Voltage
35V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
30 Ω
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Drain Gate On-Capacitance
28pF
Source Gate On-Capacitance
28pF
Matmenys
2.9 x 1.3 x 1.04mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Aukštis
1.04mm
Plotis
1.3mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,308
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,373
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
Standartas
50
€ 0,308
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,373
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
Standartas
50
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Juosta |
---|---|---|
50 - 450 | € 0,308 | € 15,39 |
500 - 950 | € 0,265 | € 13,25 |
1000+ | € 0,23 | € 11,50 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
20mA
Maximum Drain Source Voltage
15 V
Maximum Gate Source Voltage
-35 V
Maximum Drain Gate Voltage
35V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
30 Ω
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Drain Gate On-Capacitance
28pF
Source Gate On-Capacitance
28pF
Matmenys
2.9 x 1.3 x 1.04mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Aukštis
1.04mm
Plotis
1.3mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.