Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
10 A dc
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V dc
Maximum Emitter Base Voltage
5 V dc
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
100
Maximum Collector Base Voltage
100 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V dc
Aukštis
16.12mm
Plotis
4.9mm
Maximum Power Dissipation
40 W
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Matmenys
10.63 x 4.9 x 16.12mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.63mm
Kilmės šalis
Korea, Republic Of
€ 16,15
€ 1,615 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 19,54
€ 1,954 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
10

€ 16,15
€ 1,615 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 19,54
€ 1,954 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
10

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
10 A dc
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V dc
Maximum Emitter Base Voltage
5 V dc
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
100
Maximum Collector Base Voltage
100 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V dc
Aukštis
16.12mm
Plotis
4.9mm
Maximum Power Dissipation
40 W
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Matmenys
10.63 x 4.9 x 16.12mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.63mm
Kilmės šalis
Korea, Republic Of