Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
10 A dc
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V dc
Maximum Emitter Base Voltage
5 V dc
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
100
Maximum Collector Base Voltage
100 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V dc
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.63mm
Aukštis
16.12mm
Plotis
4.9mm
Maximum Power Dissipation
40 W
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Matmenys
10.63 x 4.9 x 16.12mm
Kilmės šalis
Korea, Republic Of
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,628
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 1,97
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
€ 1,628
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 1,97
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
10 - 90 | € 1,628 | € 16,28 |
100 - 240 | € 1,312 | € 13,12 |
250 - 490 | € 1,26 | € 12,60 |
500 - 990 | € 1,102 | € 11,02 |
1000+ | € 0,948 | € 9,48 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
10 A dc
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V dc
Maximum Emitter Base Voltage
5 V dc
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
100
Maximum Collector Base Voltage
100 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V dc
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.63mm
Aukštis
16.12mm
Plotis
4.9mm
Maximum Power Dissipation
40 W
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Matmenys
10.63 x 4.9 x 16.12mm
Kilmės šalis
Korea, Republic Of