Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
10 A dc
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V dc
Maximum Emitter Base Voltage
5 V dc
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
100
Maximum Collector Base Voltage
100 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V dc
Aukštis
16.12mm
Plotis
4.9mm
Maximum Power Dissipation
40 W
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Matmenys
10.63 x 4.9 x 16.12mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.63mm
Kilmės šalis
Korea, Republic Of
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,628
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 1,97
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
€ 1,628
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 1,97
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
50 - 50 | € 1,628 | € 81,38 |
100 - 200 | € 1,312 | € 65,62 |
250 - 450 | € 1,26 | € 63,00 |
500+ | € 1,102 | € 55,12 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
10 A dc
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V dc
Maximum Emitter Base Voltage
5 V dc
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
100
Maximum Collector Base Voltage
100 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V dc
Aukštis
16.12mm
Plotis
4.9mm
Maximum Power Dissipation
40 W
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Matmenys
10.63 x 4.9 x 16.12mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.63mm
Kilmės šalis
Korea, Republic Of