Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.8 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
115 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.6 nC @ 4 V
Transistor Material
Si
Plotis
1.4mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.01mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,40
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,484
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
20
€ 0,40
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,484
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
20
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
20 - 80 | € 0,40 | € 8,00 |
100 - 180 | € 0,205 | € 4,10 |
200 - 980 | € 0,177 | € 3,55 |
1000 - 1980 | € 0,153 | € 3,07 |
2000+ | € 0,145 | € 2,90 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.8 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
115 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.6 nC @ 4 V
Transistor Material
Si
Plotis
1.4mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.01mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas