Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
min. 20mA
Maximum Gate Source Voltage
-35 V
Maximum Drain Gate Voltage
35V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
30 Ω
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Pakuotės tipas
TO-92
Kaiščių skaičius
3
Drain Gate On-Capacitance
28pF
Source Gate On-Capacitance
28pF
Matmenys
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Aukštis
5.33mm
Plotis
4.19mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5.2mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,085
Each (In a Bag of 10000) (be PVM)
€ 0,103
Each (In a Bag of 10000) (su PVM)
10000
€ 0,085
Each (In a Bag of 10000) (be PVM)
€ 0,103
Each (In a Bag of 10000) (su PVM)
10000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
min. 20mA
Maximum Gate Source Voltage
-35 V
Maximum Drain Gate Voltage
35V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
30 Ω
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Pakuotės tipas
TO-92
Kaiščių skaičius
3
Drain Gate On-Capacitance
28pF
Source Gate On-Capacitance
28pF
Matmenys
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Aukštis
5.33mm
Plotis
4.19mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5.2mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.