Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
PQFN8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
13.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
75 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±16 V
Plotis
5.9mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
28 nC @ 10 V
Aukštis
1.1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.25V
Kilmės šalis
Philippines
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,696
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,842
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,696
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,842
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
PQFN8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
13.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
75 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±16 V
Plotis
5.9mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
28 nC @ 10 V
Aukštis
1.1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.25V
Kilmės šalis
Philippines