Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
76 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
TO-220F
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
8.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
35 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
4.9mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
25 nC @ 10 V
Aukštis
16.07mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,89
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 2,287
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
€ 1,89
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 2,287
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
76 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
TO-220F
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
8.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
35 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
4.9mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
25 nC @ 10 V
Aukštis
16.07mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Kilmės šalis
China