Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
51 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
PQFN8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
12.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
63 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Plotis
5.85mm
Serija
PowerTrench
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Aukštis
1.05mm
Produkto aprašymas
N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,761
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,921
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,761
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,921
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
51 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
PQFN8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
12.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
63 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Plotis
5.85mm
Serija
PowerTrench
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Aukštis
1.05mm
Produkto aprašymas