Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
116 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Pakuotės tipas
PQFN8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
7.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
113.6 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Ilgis
5.85mm
Typical Gate Charge @ Vgs
51 nC @ 10 V
Plotis
5mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1.05mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,47
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 1,779
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 1,47
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 1,779
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
116 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Pakuotės tipas
PQFN8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
7.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
113.6 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Ilgis
5.85mm
Typical Gate Charge @ Vgs
51 nC @ 10 V
Plotis
5mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1.05mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V