Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
190 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
144 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Plotis
4.7mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
33 nC @ 10 V
Aukštis
16.3mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 2,205
Each (In a Tube of 800) (be PVM)
€ 2,668
Each (In a Tube of 800) (su PVM)
800
€ 2,205
Each (In a Tube of 800) (be PVM)
€ 2,668
Each (In a Tube of 800) (su PVM)
800
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
800 - 800 | € 2,205 | € 1 764,00 |
1600 - 2400 | € 1,838 | € 1 470,00 |
3200 - 4800 | € 1,785 | € 1 428,00 |
5600+ | € 1,732 | € 1 386,00 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
190 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
144 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Plotis
4.7mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
33 nC @ 10 V
Aukštis
16.3mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Kilmės šalis
China