Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
75 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Pakuotės tipas
TO-247-4
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
4
Maximum Drain Source Resistance
23 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
595 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Ilgis
15.8mm
Typical Gate Charge @ Vgs
222 nC @ 10 V
Plotis
5.2mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
22.74mm
Forward Diode Voltage
1.2V
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 21,21
Each (In a Tube of 450) (be PVM)
€ 25,664
Each (In a Tube of 450) (su PVM)
450
€ 21,21
Each (In a Tube of 450) (be PVM)
€ 25,664
Each (In a Tube of 450) (su PVM)
450
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
75 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Pakuotės tipas
TO-247-4
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
4
Maximum Drain Source Resistance
23 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
595 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Ilgis
15.8mm
Typical Gate Charge @ Vgs
222 nC @ 10 V
Plotis
5.2mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
22.74mm
Forward Diode Voltage
1.2V
Kilmės šalis
China