Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Pakuotės tipas
WLCSP
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
10
Channel Mode
Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage
1.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
3.3 W
Transistor Configuration
Dual
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
Plotis
1.8mm
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.57mm
Typical Gate Charge @ Vgs
62 nC @ 3.8 V nC
Aukštis
0.14mm
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,62
Each (On a Reel of 5000) (be PVM)
€ 0,75
Each (On a Reel of 5000) (su PVM)
5000
€ 0,62
Each (On a Reel of 5000) (be PVM)
€ 0,75
Each (On a Reel of 5000) (su PVM)
5000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Pakuotės tipas
WLCSP
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
10
Channel Mode
Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage
1.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
3.3 W
Transistor Configuration
Dual
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
Plotis
1.8mm
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.57mm
Typical Gate Charge @ Vgs
62 nC @ 3.8 V nC
Aukštis
0.14mm