Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
20 to 40mA
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Maximum Drain Gate Voltage
-25V
Transistor Configuration
Common Source
Configuration
Dual
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
CPH
Kaiščių skaičius
6
Drain Gate On-Capacitance
6pF
Source Gate On-Capacitance
2.3pF
Matmenys
2.9 x 1.6 x 0.9mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Aukštis
0.9mm
Plotis
1.6mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,634
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,767
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
10
€ 0,634
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,767
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
10
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
10 - 10 | € 0,634 | € 6,34 |
20 - 40 | € 0,40 | € 4,00 |
50 - 90 | € 0,346 | € 3,46 |
100 - 190 | € 0,304 | € 3,04 |
200+ | € 0,298 | € 2,98 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
20 to 40mA
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Maximum Drain Gate Voltage
-25V
Transistor Configuration
Common Source
Configuration
Dual
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
CPH
Kaiščių skaičius
6
Drain Gate On-Capacitance
6pF
Source Gate On-Capacitance
2.3pF
Matmenys
2.9 x 1.6 x 0.9mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Aukštis
0.9mm
Plotis
1.6mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.