Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
1 A
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Pakuotės tipas
CPH
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
900 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
120 V
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Maximum Operating Frequency
120 MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
2.9 x 1.6 x 0.9mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.4 V
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
General Purpose NPN Transistors, up to 1A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,119
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,144
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,119
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,144
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
1 A
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Pakuotės tipas
CPH
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
900 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
120 V
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Maximum Operating Frequency
120 MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
2.9 x 1.6 x 0.9mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.4 V
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
General Purpose NPN Transistors, up to 1A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.