Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
50 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
3.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
225 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Plotis
1.3mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.94mm
Produkto aprašymas
N-Channel Power MOSFET, 50V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,281
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,34
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
25
€ 0,281
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,34
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
25
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
25 - 100 | € 0,281 | € 7,04 |
125 - 475 | € 0,276 | € 6,90 |
500 - 1225 | € 0,267 | € 6,67 |
1250+ | € 0,262 | € 6,56 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
50 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
3.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
225 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Plotis
1.3mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.94mm
Produkto aprašymas