Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
8 to 80mA
Maximum Drain Source Voltage
0.4 V
Maximum Gate Source Voltage
-40 V
Maximum Drain Gate Voltage
40V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
2.9 x 1.3 x 0.97mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Aukštis
0.97mm
Plotis
1.3mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,136
Each (In a Pack of 100) (be PVM)
€ 0,165
Each (In a Pack of 100) (su PVM)
Standartas
100
€ 0,136
Each (In a Pack of 100) (be PVM)
€ 0,165
Each (In a Pack of 100) (su PVM)
Standartas
100
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
100 - 400 | € 0,136 | € 13,58 |
500 - 900 | € 0,117 | € 11,68 |
1000+ | € 0,102 | € 10,16 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
8 to 80mA
Maximum Drain Source Voltage
0.4 V
Maximum Gate Source Voltage
-40 V
Maximum Drain Gate Voltage
40V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
2.9 x 1.3 x 0.97mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Aukštis
0.97mm
Plotis
1.3mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.