Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
1 A
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Pakuotės tipas
SOT-223
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
4
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
2000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.9 V
Maximum Collector Base Voltage
90 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.3 V
Ilgis
6.5mm
Aukštis
1.57mm
Plotis
3.5mm
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Matmenys
6.5 x 3.5 x 1.57mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,207
Each (On a Reel of 1000) (be PVM)
€ 0,25
Each (On a Reel of 1000) (su PVM)
1000
€ 0,207
Each (On a Reel of 1000) (be PVM)
€ 0,25
Each (On a Reel of 1000) (su PVM)
1000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
1 A
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Pakuotės tipas
SOT-223
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
4
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
2000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.9 V
Maximum Collector Base Voltage
90 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.3 V
Ilgis
6.5mm
Aukštis
1.57mm
Plotis
3.5mm
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Matmenys
6.5 x 3.5 x 1.57mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C