Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
4 A dc
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V dc
Maximum Emitter Base Voltage
5 V dc
Pakuotės tipas
TO-225
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
750
Maximum Collector Base Voltage
60 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2.8 V dc
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
7.8mm
Aukštis
11.1mm
Plotis
3mm
Maximum Power Dissipation
40 W
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Matmenys
7.8 x 3 x 11.1mm
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,897
Each (In a Pack of 25) (be PVM)
€ 1,085
Each (In a Pack of 25) (su PVM)
25
€ 0,897
Each (In a Pack of 25) (be PVM)
€ 1,085
Each (In a Pack of 25) (su PVM)
25
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
25 - 75 | € 0,897 | € 22,42 |
100 - 475 | € 0,632 | € 15,80 |
500 - 975 | € 0,518 | € 12,94 |
1000 - 2475 | € 0,42 | € 10,50 |
2500+ | € 0,364 | € 9,11 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
4 A dc
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V dc
Maximum Emitter Base Voltage
5 V dc
Pakuotės tipas
TO-225
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
750
Maximum Collector Base Voltage
60 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2.8 V dc
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
7.8mm
Aukštis
11.1mm
Plotis
3mm
Maximum Power Dissipation
40 W
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Matmenys
7.8 x 3 x 11.1mm
Kilmės šalis
China