Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
4 A dc
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V dc
Maximum Emitter Base Voltage
5 V dc
Pakuotės tipas
TO-225
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
750
Maximum Collector Base Voltage
60 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2.8 V dc
Aukštis
11.1mm
Plotis
3mm
Maximum Power Dissipation
40 W
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Matmenys
7.8 x 3 x 11.1mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
7.8mm
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,542
Each (In a Box of 500) (be PVM)
€ 0,656
Each (In a Box of 500) (su PVM)
500
€ 0,542
Each (In a Box of 500) (be PVM)
€ 0,656
Each (In a Box of 500) (su PVM)
500
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Dėžutė |
---|---|---|
500 - 500 | € 0,542 | € 270,90 |
1000+ | € 0,439 | € 219,45 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
4 A dc
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V dc
Maximum Emitter Base Voltage
5 V dc
Pakuotės tipas
TO-225
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
750
Maximum Collector Base Voltage
60 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2.8 V dc
Aukštis
11.1mm
Plotis
3mm
Maximum Power Dissipation
40 W
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Matmenys
7.8 x 3 x 11.1mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
7.8mm
Kilmės šalis
China