Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Collector Emitter Voltage
115 V
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
40 W
Minimum DC Current Gain
2.5
Transistor Configuration
Single
Maximum Emitter Base Voltage
5 V dc
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
10.53 x 4.83 x 9.28mm
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,503
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 0,609
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
€ 0,503
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 0,609
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
50 - 50 | € 0,503 | € 25,13 |
100 - 450 | € 0,353 | € 17,67 |
500 - 950 | € 0,344 | € 17,20 |
1000 - 2450 | € 0,335 | € 16,77 |
2500+ | € 0,328 | € 16,39 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Collector Emitter Voltage
115 V
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
40 W
Minimum DC Current Gain
2.5
Transistor Configuration
Single
Maximum Emitter Base Voltage
5 V dc
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
10.53 x 4.83 x 9.28mm
Kilmės šalis
China