Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN/PNP
Maximum DC Collector Current
200 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOT-363
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
380 mW
Minimum DC Current Gain
420
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Kaiščių skaičius
6
Number of Elements per Chip
2
Matmenys
2.2 x 1.35 x 1mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,087
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,105
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
100
€ 0,087
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,105
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
100
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
100 - 900 | € 0,087 | € 8,72 |
1000 - 2900 | € 0,062 | € 6,20 |
3000+ | € 0,048 | € 4,83 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN/PNP
Maximum DC Collector Current
200 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOT-363
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
380 mW
Minimum DC Current Gain
420
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Kaiščių skaičius
6
Number of Elements per Chip
2
Matmenys
2.2 x 1.35 x 1mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Kilmės šalis
China