Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
100 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
300 mW
Minimum DC Current Gain
420
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
30 V dc
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Kilmės šalis
China
€ 42,75
€ 0,043 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 51,73
€ 0,052 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
1000

€ 42,75
€ 0,043 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 51,73
€ 0,052 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
1000

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
100 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
300 mW
Minimum DC Current Gain
420
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
30 V dc
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Kilmės šalis
China