Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN/PNP
Maximum DC Collector Current
200 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
45 V
Pakuotės tipas
SOT-363
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
380 mW
Minimum DC Current Gain
200
Maximum Collector Base Voltage
50 V
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Kaiščių skaičius
6
Number of Elements per Chip
2
Matmenys
2.2 x 1.35 x 1mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,024
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,029
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
100
€ 0,024
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,029
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
100
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN/PNP
Maximum DC Collector Current
200 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
45 V
Pakuotės tipas
SOT-363
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
380 mW
Minimum DC Current Gain
200
Maximum Collector Base Voltage
50 V
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Kaiščių skaičius
6
Number of Elements per Chip
2
Matmenys
2.2 x 1.35 x 1mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Kilmės šalis
China