Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
100 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Pakuotės tipas
TO-92
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
500 mW
Minimum DC Current Gain
200, 420
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,058
Each (On a Reel of 2000) (be PVM)
€ 0,07
Each (On a Reel of 2000) (su PVM)
2000
€ 0,058
Each (On a Reel of 2000) (be PVM)
€ 0,07
Each (On a Reel of 2000) (su PVM)
2000
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
2000 - 8000 | € 0,058 | € 115,50 |
10000 - 22000 | € 0,057 | € 113,40 |
24000 - 48000 | € 0,049 | € 98,70 |
50000+ | € 0,045 | € 90,30 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
100 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Pakuotės tipas
TO-92
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
500 mW
Minimum DC Current Gain
200, 420
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Kilmės šalis
China