Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Pakuotės tipas
TO-92
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
625 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Emitter Base Voltage
10 V
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,374
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,452
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
25
€ 0,374
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,452
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
25
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Juosta |
---|---|---|
25 - 25 | € 0,374 | € 9,34 |
50 - 100 | € 0,309 | € 7,72 |
125 - 225 | € 0,223 | € 5,56 |
250 - 600 | € 0,217 | € 5,43 |
625+ | € 0,158 | € 3,94 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Pakuotės tipas
TO-92
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
625 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Emitter Base Voltage
10 V
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C