Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiMaximum Continuous Collector Current
80 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
267 W
Number of Transistors
1
Pakuotės tipas
TO-247
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Channel Type
N
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Matmenys
15.87 x 4.82 x 20.82mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Gate Capacitance
1518pF
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Energy Rating
51mJ
Automotive Standard
AEC-Q101
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 6,93
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 8,385
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
2
€ 6,93
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 8,385
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
2
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
2 - 8 | € 6,93 | € 13,86 |
10 - 98 | € 5,88 | € 11,76 |
100 - 248 | € 4,672 | € 9,34 |
250 - 498 | € 4,41 | € 8,82 |
500+ | € 4,20 | € 8,40 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiMaximum Continuous Collector Current
80 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
267 W
Number of Transistors
1
Pakuotės tipas
TO-247
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Channel Type
N
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Matmenys
15.87 x 4.82 x 20.82mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Gate Capacitance
1518pF
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Energy Rating
51mJ
Automotive Standard
AEC-Q101
Kilmės šalis
China