Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
1500 V
Pakuotės tipas
TO-3P
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
13 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
50 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-35 V, +35 V
Plotis
5.5mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
15.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
37.5 nC @ 10 V
Aukštis
24.5mm
Kilmės šalis
Korea, Republic Of
Produkto aprašymas
N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 4,252
Each (In a Tube of 30) (be PVM)
€ 5,145
Each (In a Tube of 30) (su PVM)
30
€ 4,252
Each (In a Tube of 30) (be PVM)
€ 5,145
Each (In a Tube of 30) (su PVM)
30
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
1500 V
Pakuotės tipas
TO-3P
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
13 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
50 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-35 V, +35 V
Plotis
5.5mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
15.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
37.5 nC @ 10 V
Aukštis
24.5mm
Kilmės šalis
Korea, Republic Of
Produkto aprašymas