Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
16 to 32mA
Maximum Drain Source Voltage
15 V
Maximum Drain Gate Voltage
-15V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
CP
Kaiščių skaičius
3
Drain Gate On-Capacitance
10pF
Source Gate On-Capacitance
2.9pF
Matmenys
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Aukštis
1.1mm
Plotis
1.5mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,406
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,491
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
20
€ 0,406
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,491
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
20
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
20 - 20 | € 0,406 | € 8,13 |
40 - 80 | € 0,318 | € 6,36 |
100 - 180 | € 0,231 | € 4,62 |
200 - 380 | € 0,212 | € 4,24 |
400+ | € 0,196 | € 3,93 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
16 to 32mA
Maximum Drain Source Voltage
15 V
Maximum Drain Gate Voltage
-15V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
CP
Kaiščių skaičius
3
Drain Gate On-Capacitance
10pF
Source Gate On-Capacitance
2.9pF
Matmenys
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Aukštis
1.1mm
Plotis
1.5mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.