Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
10 to 20mA
Maximum Drain Source Voltage
15 V
Maximum Drain Gate Voltage
-15V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
CP
Kaiščių skaičius
3
Drain Gate On-Capacitance
10pF
Source Gate On-Capacitance
2.9pF
Matmenys
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Plotis
1.5mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Aukštis
1.1mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 31,10
€ 0,311 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 37,63
€ 0,376 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
100

€ 31,10
€ 0,311 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 37,63
€ 0,376 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
100

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
100 - 225 | € 0,311 | € 7,78 |
250 - 475 | € 0,269 | € 6,72 |
500 - 975 | € 0,237 | € 5,92 |
1000+ | € 0,215 | € 5,38 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
10 to 20mA
Maximum Drain Source Voltage
15 V
Maximum Drain Gate Voltage
-15V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
CP
Kaiščių skaičius
3
Drain Gate On-Capacitance
10pF
Source Gate On-Capacitance
2.9pF
Matmenys
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Plotis
1.5mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Aukštis
1.1mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.