Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
340 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-323
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
2.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
330 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.7 nC @ 4.5 V
Plotis
1.35mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.9mm
Produkto aprašymas
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,063
Each (In a Pack of 100) (be PVM)
€ 0,076
Each (In a Pack of 100) (su PVM)
100
€ 0,063
Each (In a Pack of 100) (be PVM)
€ 0,076
Each (In a Pack of 100) (su PVM)
100
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
100 - 100 | € 0,063 | € 6,30 |
200 - 400 | € 0,056 | € 5,56 |
500 - 900 | € 0,051 | € 5,14 |
1000 - 1900 | € 0,041 | € 4,10 |
2000+ | € 0,038 | € 3,78 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
340 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-323
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
2.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
330 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.7 nC @ 4.5 V
Plotis
1.35mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.9mm
Produkto aprašymas