Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
115 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
7.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
1.3mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Aukštis
0.94mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,049
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,059
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,049
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,059
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
3000 - 3000 | € 0,049 | € 148,05 |
6000 - 9000 | € 0,048 | € 144,90 |
12000 - 27000 | € 0,047 | € 141,75 |
30000 - 57000 | € 0,045 | € 135,45 |
60000+ | € 0,044 | € 132,30 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
115 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
7.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
1.3mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Aukštis
0.94mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas