Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
260 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
2.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Ilgis
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.81 nC @ 5 V
Plotis
1.3mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
0.94mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
Czech Republic
Produkto aprašymas
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,03
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,036
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,03
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,036
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
3000 - 3000 | € 0,03 | € 91,35 |
6000 - 12000 | € 0,03 | € 91,35 |
15000 - 27000 | € 0,028 | € 85,05 |
30000 - 57000 | € 0,028 | € 85,05 |
60000+ | € 0,027 | € 81,90 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
260 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
2.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Ilgis
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.81 nC @ 5 V
Plotis
1.3mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
0.94mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
Czech Republic
Produkto aprašymas