Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
10 A
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
2500
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V
Maximum Collector Cut-off Current
1mA
Plotis
10.28mm
Maximum Power Dissipation
65 W
Aukštis
4.82mm
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Matmenys
15.75 x 10.28 x 4.82mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
15.75mm
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,314
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 0,38
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
€ 0,314
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 0,38
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
10 A
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
2500
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V
Maximum Collector Cut-off Current
1mA
Plotis
10.28mm
Maximum Power Dissipation
65 W
Aukštis
4.82mm
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Matmenys
15.75 x 10.28 x 4.82mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
15.75mm