onsemi TF412SG N-Channel JFET, 30 V, Idss 1.2 to 3mA, 3-Pin SOT-883

RS kodas: 867-3287Gamintojas: onsemiGamintojo kodas: TF412ST5G
brand-logo
View all in JFET konstrukcija

Techniniai dokumentai

Specifikacijos

Markė

onsemi

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

1.2 to 3mA

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Maximum Drain Gate Voltage

-30V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Tvirtinimo tipas

Surface Mount

Pakuotės tipas

SOT-883

Kaiščių skaičius

3

Drain Gate On-Capacitance

4pF

Source Gate On-Capacitance

4pF

Matmenys

1.08 x 0.68 x 0.41mm

Maximum Power Dissipation

100 mW

Maksimali darbinė temperatūra

+150 °C

Ilgis

1.08mm

Aukštis

0.41mm

Plotis

0.68mm

Produkto aprašymas

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.

Patikrinkite dar kartą.

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.

€ 0,217

Each (In a Pack of 50) (be PVM)

€ 0,263

Each (In a Pack of 50) (su PVM)

onsemi TF412SG N-Channel JFET, 30 V, Idss 1.2 to 3mA, 3-Pin SOT-883
Pasirinkite pakuotės tipą
sticker-462

€ 0,217

Each (In a Pack of 50) (be PVM)

€ 0,263

Each (In a Pack of 50) (su PVM)

onsemi TF412SG N-Channel JFET, 30 V, Idss 1.2 to 3mA, 3-Pin SOT-883
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Pasirinkite pakuotės tipą
sticker-462

Pirkti dideliais kiekiais

kiekisVieneto kainaPer Pakuotė
50 - 200€ 0,217€ 10,87
250 - 950€ 0,104€ 5,20
1000 - 2450€ 0,085€ 4,25
2500+€ 0,084€ 4,20

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Techniniai dokumentai

Specifikacijos

Markė

onsemi

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

1.2 to 3mA

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Maximum Drain Gate Voltage

-30V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Tvirtinimo tipas

Surface Mount

Pakuotės tipas

SOT-883

Kaiščių skaičius

3

Drain Gate On-Capacitance

4pF

Source Gate On-Capacitance

4pF

Matmenys

1.08 x 0.68 x 0.41mm

Maximum Power Dissipation

100 mW

Maksimali darbinė temperatūra

+150 °C

Ilgis

1.08mm

Aukštis

0.41mm

Plotis

0.68mm

Produkto aprašymas

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.