Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
157 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Pakuotės tipas
DFN
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
5
Maximum Drain Source Resistance
2.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
166 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
64 nC @ 10 V
Plotis
6.1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
1.05mm
Kilmės šalis
Malaysia
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,47
Each (On a Reel of 1500) (be PVM)
€ 1,779
Each (On a Reel of 1500) (su PVM)
1500
€ 1,47
Each (On a Reel of 1500) (be PVM)
€ 1,779
Each (On a Reel of 1500) (su PVM)
1500
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
157 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Pakuotės tipas
DFN
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
5
Maximum Drain Source Resistance
2.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
166 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
64 nC @ 10 V
Plotis
6.1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
1.05mm
Kilmės šalis
Malaysia