Dual N-Channel MOSFET, 29 A, 40 V, 8-Pin DFN onsemi NVMFD5C478NLT1G

RS kodas: 178-4299Gamintojas: onsemiGamintojo kodas: NVMFD5C478NLT1G
brand-logo
View all in MOSFET

Techniniai dokumentai

Specifikacijos

Markė

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

29 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Pakuotės tipas

DFN

Tvirtinimo tipas

Surface Mount

Kaiščių skaičius

8

Maximum Drain Source Resistance

14.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

23 W

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Plotis

6.1mm

Number of Elements per Chip

2

Maksimali darbinė temperatūra

+175 °C

Ilgis

5.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

8.1 nC @ 10 V

Aukštis

1.05mm

Minimali darbinė temperatūra

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Kilmės šalis

Malaysia

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.

Patikrinkite dar kartą.

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.

€ 0,918

Each (On a Reel of 1500) (be PVM)

€ 1,111

Each (On a Reel of 1500) (su PVM)

Dual N-Channel MOSFET, 29 A, 40 V, 8-Pin DFN onsemi NVMFD5C478NLT1G
sticker-462

€ 0,918

Each (On a Reel of 1500) (be PVM)

€ 1,111

Each (On a Reel of 1500) (su PVM)

Dual N-Channel MOSFET, 29 A, 40 V, 8-Pin DFN onsemi NVMFD5C478NLT1G
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
sticker-462

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Techniniai dokumentai

Specifikacijos

Markė

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

29 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Pakuotės tipas

DFN

Tvirtinimo tipas

Surface Mount

Kaiščių skaičius

8

Maximum Drain Source Resistance

14.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

23 W

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Plotis

6.1mm

Number of Elements per Chip

2

Maksimali darbinė temperatūra

+175 °C

Ilgis

5.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

8.1 nC @ 10 V

Aukštis

1.05mm

Minimali darbinė temperatūra

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Kilmės šalis

Malaysia