Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
270 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOT-323 (SC-70)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
330 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.9 nC @ 5 V
Plotis
1.35mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.9mm
Produkto aprašymas
N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,039
Each (In a Pack of 50) (be PVM)
€ 0,047
Each (In a Pack of 50) (su PVM)
50
€ 0,039
Each (In a Pack of 50) (be PVM)
€ 0,047
Each (In a Pack of 50) (su PVM)
50
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
270 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOT-323 (SC-70)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
330 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.9 nC @ 5 V
Plotis
1.35mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.9mm
Produkto aprašymas