Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
180 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
96 W
Transistor Configuration
Cascode
Maximum Gate Source Voltage
-18 V, +18 V
Transistor Material
GaN
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.53mm
Typical Gate Charge @ Vgs
6.2 nC @ 4.5 V
Plotis
4.83mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
2.2V
Aukštis
15.75mm
Kilmės šalis
Philippines
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 34,96
už 1 vnt. (be PVM)
€ 42,30
už 1 vnt. (su PVM)
1
€ 34,96
už 1 vnt. (be PVM)
€ 42,30
už 1 vnt. (su PVM)
1
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina |
---|---|
1 - 1 | € 34,96 |
2 - 4 | € 34,76 |
5 - 9 | € 34,54 |
10 - 49 | € 32,24 |
50+ | € 30,76 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
180 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
96 W
Transistor Configuration
Cascode
Maximum Gate Source Voltage
-18 V, +18 V
Transistor Material
GaN
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.53mm
Typical Gate Charge @ Vgs
6.2 nC @ 4.5 V
Plotis
4.83mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
2.2V
Aukštis
15.75mm
Kilmės šalis
Philippines