Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
235 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
DFN
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
4+Tab
Maximum Drain Source Resistance
1.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
128 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
5.1mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
65 nC @ 10 V
Aukštis
1.05mm
Serija
NTMFS5C426N
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 2,625
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 3,176
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
€ 2,625
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 3,176
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
5 - 95 | € 2,625 | € 13,12 |
100 - 495 | € 1,628 | € 8,14 |
500 - 995 | € 1,418 | € 7,09 |
1000 - 1495 | € 1,208 | € 6,04 |
1500+ | € 1,102 | € 5,51 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
235 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
DFN
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
4+Tab
Maximum Drain Source Resistance
1.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
128 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
5.1mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
65 nC @ 10 V
Aukštis
1.05mm
Serija
NTMFS5C426N
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V