Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
145 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
DFN
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
2.65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
125 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
25 nC @ 4.5 V
Plotis
6.1mm
Number of Elements per Chip
2
Forward Diode Voltage
0.8V
Aukštis
1.05mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
Malaysia
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,522
Each (On a Reel of 1500) (be PVM)
€ 1,842
Each (On a Reel of 1500) (su PVM)
1500
€ 1,522
Each (On a Reel of 1500) (be PVM)
€ 1,842
Each (On a Reel of 1500) (su PVM)
1500
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
145 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
DFN
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
2.65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
125 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
25 nC @ 4.5 V
Plotis
6.1mm
Number of Elements per Chip
2
Forward Diode Voltage
0.8V
Aukštis
1.05mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
Malaysia