N-Channel MOSFET, 46 A, 650 V, 3-Pin TO-247 onsemi NTHL065N65S3F

RS kodas: 178-4255Gamintojas: onsemiGamintojo kodas: NTHL065N65S3F
brand-logo
View all in MOSFET

Techniniai dokumentai

Specifikacijos

Markė

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

46 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Pakuotės tipas

TO-247

Tvirtinimo tipas

Through Hole

Kaiščių skaičius

3

Maximum Drain Source Resistance

65 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

337 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±30 V

Plotis

4.82mm

Number of Elements per Chip

1

Maksimali darbinė temperatūra

+150 °C

Ilgis

15.87mm

Typical Gate Charge @ Vgs

98 nC @ 10 V

Aukštis

20.82mm

Minimali darbinė temperatūra

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.3V

Kilmės šalis

China

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.

Patikrinkite dar kartą.

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.

€ 9,87

Each (In a Tube of 30) (be PVM)

€ 11,943

Each (In a Tube of 30) (su PVM)

N-Channel MOSFET, 46 A, 650 V, 3-Pin TO-247 onsemi NTHL065N65S3F
sticker-462

€ 9,87

Each (In a Tube of 30) (be PVM)

€ 11,943

Each (In a Tube of 30) (su PVM)

N-Channel MOSFET, 46 A, 650 V, 3-Pin TO-247 onsemi NTHL065N65S3F
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
sticker-462

Pirkti dideliais kiekiais

kiekisVieneto kainaPer Vamzdelis
30 - 90€ 9,87€ 296,10
120 - 240€ 9,555€ 286,65
270 - 480€ 9,345€ 280,35
510+€ 9,135€ 274,05

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Techniniai dokumentai

Specifikacijos

Markė

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

46 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Pakuotės tipas

TO-247

Tvirtinimo tipas

Through Hole

Kaiščių skaičius

3

Maximum Drain Source Resistance

65 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

337 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±30 V

Plotis

4.82mm

Number of Elements per Chip

1

Maksimali darbinė temperatūra

+150 °C

Ilgis

15.87mm

Typical Gate Charge @ Vgs

98 nC @ 10 V

Aukštis

20.82mm

Minimali darbinė temperatūra

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.3V

Kilmės šalis

China