Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
7 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
TSOP
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
35 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
12 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Plotis
1.7mm
Number of Elements per Chip
1
Aukštis
1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,096
Each (In a Pack of 25) (be PVM)
€ 0,116
Each (In a Pack of 25) (su PVM)
25
€ 0,096
Each (In a Pack of 25) (be PVM)
€ 0,116
Each (In a Pack of 25) (su PVM)
25
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
7 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
TSOP
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
35 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
12 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Plotis
1.7mm
Number of Elements per Chip
1
Aukštis
1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas