Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
19 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
80 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
71 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
25 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
6.73mm
Plotis
6.22mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
2.38mm
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,016
Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 1,229
Each (In a Pack of 2) (su PVM)
2
€ 1,016
Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 1,229
Each (In a Pack of 2) (su PVM)
2
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
2 - 18 | € 1,016 | € 2,03 |
20 - 48 | € 0,88 | € 1,76 |
50 - 98 | € 0,784 | € 1,57 |
100 - 198 | € 0,723 | € 1,45 |
200+ | € 0,669 | € 1,34 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
19 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
80 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
71 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
25 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
6.73mm
Plotis
6.22mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
2.38mm