Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
43 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
18 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
52 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.73mm
Plotis
6.22mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
2.38mm
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,843
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 1,02
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
€ 0,843
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 1,02
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
5 - 5 | € 0,843 | € 4,22 |
10 - 15 | € 0,423 | € 2,12 |
20 - 45 | € 0,404 | € 2,02 |
50 - 95 | € 0,387 | € 1,94 |
100+ | € 0,265 | € 1,32 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
43 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
18 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
52 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.73mm
Plotis
6.22mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
2.38mm