Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorMaximum Continuous Collector Current
60 A
Maximum Collector Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
189 W
Pakuotės tipas
TO-247
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Channel Type
N
Kaiščių skaičius
3
Switching Speed
1MHz
Transistor Configuration
Single
Matmenys
16.26 x 5.3 x 21.08mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
P.O.A.
2
P.O.A.
2
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorMaximum Continuous Collector Current
60 A
Maximum Collector Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
189 W
Pakuotės tipas
TO-247
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Channel Type
N
Kaiščių skaičius
3
Switching Speed
1MHz
Transistor Configuration
Single
Matmenys
16.26 x 5.3 x 21.08mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C